1. ข้อใดกล่าวถูกต้องเกี่ยวกับไดโอดแบบจุดสัมผัส1) เกิดจากการนำสารเจอร์มาเนียมชนิดเอ็นมาอัดเป็นสายเล็ก ๆ ให้มีลักษณะเป็นลวดแพลทตินั่ม
2) สร้างขึ้นจากการนำสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นมาต่อกับสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น
3) สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นจะแพร่อนุภาคอะตอมของสารบางเข้าไปในเนื้อของสารกึ่งตัวนำชนิดพี
4) ไดโอดชนิดนี้นิยมใช้งานกันอย่างแพร่หลาย
|
2. ข้อใดไม่ใช่คุณสมบัติของซีเนอร์ไดโอด1) ทำงานในย่านแรงดันแบบไบแอสตรง
2) แรงดันที่ใช้ในการไบแอสต้องมากพอที่จะทำให้ทำงานอยู่ในย่านแรงดันพังย้อนกลับ
3) รักษาระดับแรงดันที่ตกคร่อมให้คงที่
4) แรงดันในย่านแรงดันพังทลายย้อนกลับเรียกว่าแรงดันซีเนอร์
|
3. ข้อใดไม่ใช่คุณสมบัติของโอดเปล่งแสง1) แบบตัวเลข
2) แบบด็อทเมตริกซ์
3) มีรอยต่อ 2 รอยต่อสามชั้น
4) เป็นสารชนิดแกลเลียมอาเซนายต์
|
4. ไดโอดแบบวาริแคปนิยมนำไปใช้ในวงจรใด1) วงจรขยายสัญญาณ
2) วงจรปรับความถี่
3) วงจรออสซิเลเตอร์
4) วงจรกรองสัญญาณ
|
5. จงคำนวณหาค่าความต้านทานซีเนอร์ เมื่อแรงดันซีเนอร์มีค่า 2.2 V และกระแสซีเนอร์มีค่า 1.1 mA1) 2 k
2) 3 k
3) 4 k
4) 5 k
|
ต้องการเฉลยข้อสอบ โปรดเข้าระบบสมาชิก
|
|
|
